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圧力勾配式スパッタ装置【PGS model】
圧力勾配現象を採用した画期的なスパッタ装置です。
高真空域でのスパッタ成膜が可能で、低ダメージ高品質薄膜を高レートで形成することが可能です。
九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果です。（特許出願済み）

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２インチ３源RFスパッタ装置
化合物成膜を対象とした３源RFマグネトロンスパッタ装置です。
任意の2源同時スパッタが可能です。
●基板寸法最大2インチ
●基板ホルダー：基板加熱500℃、基板回転付き
●スパッタカソード：φ2インチマグネトロンカソード（3基）
●ガス系：Ar、O2 MFC2系統
●基板挿入：前面ヒンジ扉　※ロードロック増設可

１インチ３源RF・DC切替スパッタ装置
3源の1インチマグネトロンカソードを搭載した平行平板型RF･DCスパッタ装置です。
上蓋ヒンジ開閉構造､デポダウン(スパッタダウン)方式の装置構成で
メンテナンス性に優れます。
また､3源RFスパッタカソードにより､大気開放することなく連続3種の積層成膜が可能です。
ロードロック室の増設･拡張が可能です。

１インチRFスパッタ装置
1インチマグネトロンカソードを搭載したデポダウン方式のRFスパッタ装置です。
600℃加熱･基板回転機構を備えた基板ホルダーを搭載し、外部からのT/S距離可変です。
ロ−ドロック室の増設･拡張が可能です。

４インチ３源RFスパッタ装置

金属･絶縁材料を対象とした３源RFマグネトロンスパッタ装置です。
基板は､加熱機構･逆スパッタ機構を備えています。
●基板寸法:最大3インチ(3枚収納可)
●基板ホルダー：基板加熱500℃､基板回転､逆スパッタ機構付き
●スパッタカソード:(φ4インチマグネトロンカソード(3基)
●ガス系:Ar、02 MFC2系統
●基板挿入:上蓋手動開閉